WS3413H
WS3413H
● 内置650V功率MOSFET
● 高PF值,低THD
● 谷底开关,高效率
● 无需辅助线圈供电
● 外围元件少
● 自动补偿电感的感量变化
● 自动适应输出电压变化
● 芯片过温保护采用智能温控技术
● LED短路保护
● LED开路保护
● DIP7封装
● 高PF值,低THD
● 谷底开关,高效率
● 无需辅助线圈供电
● 外围元件少
● 自动补偿电感的感量变化
● 自动适应输出电压变化
● 芯片过温保护采用智能温控技术
● LED短路保护
● LED开路保护
● DIP7封装
架构类型 产品型号 MOS 封装 推荐应用功率 OVP 规 格 书 176-264Vac 90-264Vac 非隔离 PF﹥0.9 WS3413H 3A/650V DIP7 120V/240mA 80V/240mA 外部设定
● WS3413H 是一款专用于LED 的有源PFC 非隔离降压型恒流驱动集成电路,系统工作在谷底开关模式,转换效率高,PF 高,易过EMI,输出电流自动适应电感量的变化和输出电压的变化,从而真正实现了恒流驱动LED。
● WS3413H 芯片内部集成650V 功率MOSFET,外围只需要很少的器件就可以达到优异的恒流输出。
● WS3413H 内部集成了丰富的保护功能,包括LED 开路保护,短路保护,逐周期电流保护,智能温控技术和软启动等。
● WS3413H 具有极低的启动电流和工作电流,可在全电压交流输入(85VAC~265VAC)范围内高效驱动LED。
● WS3413H 提供7-Pin 的DIP-7 封装。