WS3413E
WS3413E
● 内部对EMI辐射干扰进行了优化设计
● 内置550V功率MOSFET
● 高PF值,低THD
● 谷底开关,高效率
● 无需辅助线圈供电
● 外围元件少
● 自动补偿电感的感量变化
● 自动适应输出电压变化
● 芯片过温保护采用智能温控技术
● LED短路保护
● LED开路保护
● DIP7/SOP7封装
● 内置550V功率MOSFET
● 高PF值,低THD
● 谷底开关,高效率
● 无需辅助线圈供电
● 外围元件少
● 自动补偿电感的感量变化
● 自动适应输出电压变化
● 芯片过温保护采用智能温控技术
● LED短路保护
● LED开路保护
● DIP7/SOP7封装
架构类型 |
产品型号 |
MOS |
封装 |
推荐应用功率 |
OVP |
规 格 书 | ||
176-264Vac |
90-264Vac | |||||||
非隔离 |
PF﹥0.9 |
WS3413E |
- |
SOP7 |
70V/240mA |
50V/240mA |
- |
|
DIP7 |
80V/240mA |
60V/240mA |
● WS3413E 是在WS3413 的基础上针对EMI 的辐射干扰做了全新的优化设计,从而在电源设计中,能用更少的器件,通过EMI 的测试。
● WS3413E 是一款专用于LED 的有源PFC 非隔离降压型恒流驱动集成电路,系统工作在谷底开关模式,转换效率高,EMI 低,PF 高,输出电流自动适应电感量的变化和输出电压的变化,从而真正实现了恒流驱动LED。
● WS3413E 芯片内部集成550V 功率MOSFET,外围只需要很少的器件就可以达到优异的恒流输出。
● WS3413E 内部集成了丰富的保护功能,包括LED 开路保护,短路保护,逐周期电流保护,智能温控技术和软启动等。
● WS3413E 具有极低的启动电流和工作电流,可在全电压交流输入(85VAC~265VAC)范围内高效驱动LED。
● WS3413E 提供7-Pin 的SOP-7 与DIP-7 封装。